[发明专利]光电能量转换器

摘要

本发明提供了一种光电能量转换器，包括基底、由基底支撑的多层结构和第一电流阻挡层。所述第一多层结构包括第一导电类型的半导体材料的第一基极层、第二导电类型的半导体材料的第一发射极层和第二导电类型的半导体材料的第一导电层；所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，从而在所述第一发射极层与所述第一基极层之间形成第一结区域。所述第一电流阻挡层由所述第二导电类型半导体材料制成，所述第一电流阻挡层介于所述基底和所述第一多层结构之间。所述发射极层是碳掺杂的。

主权项

1、一种光电能量转换器，包括基底、第一多层结构、第一电流阻挡层、基极电触头和发射极电触头，其中：所述基底由半导体材料制成；所述第一多层结构由所述基底支撑，所述第一多层结构包括第一导电类型的半导体材料的第一基极层、第二导电类型的半导体材料的第一发射极层和第二导电类型的半导体材料的第一导电层；所述第一基极层位于所述基底之上并具有第一禁带；所述第一发射极层与所述第一基极层相邻，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，从而在所述第一发射极层与所述第一基极层之间形成第一结区域，所述第一发射极层具有等于或大于所述第一禁带的第二禁带；所述第一导电层被设置于所述第一发射极层之上，所述第一导电层具有宽于第一和第二禁带中的任一个的第三禁带；所述第一电流阻挡层由所述第二导电类型半导体材料制成，所述第一电流阻挡层介于所述基底和所述第一多层结构之间；所述基极电触头被设置以用于与所述第一基极层电连通；所述发射极电触头被设置于所述导电层上，用于和所述第一发射极层电连通，从而响应于入射到所述第一发射极层上的所选择波长的辐射而产生对于所述基极电触头的相对电压。