[发明专利]含有中心部分的多分块式光电能量转换器无效
申请号: | 200710301959.9 | 申请日: | 2007-12-20 |
公开(公告)号: | CN101431084A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | ·古斯塔夫·威尔森;刘强;森尼瓦提·韦德加加;吴塔春 | 申请(专利权)人: | JDS尤尼弗思公司 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L23/522;H01L31/042 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郑小粤 |
地址: | 美国加利福尼亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种光电能量转换器包括多个由所述基底支撑的空间上分离的装置分块,其中装置分块以圆形组合排列,其中第一组装置分块位于中心并且被第二组装置分块所环绕,第一组装置分块由一个或多个装置分块组成,第二组装置分块包括至少两个装置分块,以及其中将两个或多个装置分块进行串联当所选波长的辐射入射在装置上时产生电压。 | ||
搜索关键词: | 含有 中心 部分 分块 光电 能量 转换器 | ||
【主权项】:
1. 光电能量转换器,包括:基底、第一多层结构、多个沟槽和多个电互连器,其中:所述基底由半导体材料制作;所述第一多层结构由所述基底支撑,所述第一多层结构包括第一导电类型的半导体材料的第一基极层、第二导电类型的半导体材料的第一发射极层和第二导电类型的半导体材料的第一导电层;所述第一基极层位于所述基底之上;所述第一发射极层被设于所述第一基极层之上,所述第二导电类型与所述第一导电类型相反,从而在所述第一发射极层与所述第一基极层之间形成p-n结区域;所述第一导电层被设置于所述第一发射极层之上;所述沟槽延伸通过所述第一多层结构,并且部分延伸进入所述基底,从而形成多个由所述基底支撑的空间上分离的装置分块;其中,所述装置分块以圆形组合排列,其中第一组装置分块位于中心并且被第二组装置分块所环绕,所述第一组装置分块由一个或多个装置分块组成,所述第二组装置分块包括至少两个装置分块,以及其中,所述多个装置分块中的两个或更多个分块含有第一金属触头和第二金属触头,所述第一金属触头与所述装置分块内的第一基极层电连通,以及所述第二金属触头被设置于所述装置分块内的第一发射极层之上,与所述第一发射极层电连通;以及,所述多个电互连器通过将每一个且仅一个第一金属触头电连接到其相邻的第二金属触头,从而将所述两个或更多个装置分块电气串联连接,从而当所选波长的辐射入射到所述第一发射极层上时,在未连接的第一金属触头和未连接的第二金属触头之间产生一个电压,所述未连接的第一金属触头为所述两个或更多个装置分块的第一金属触头中,未连接到任一第二金属触头的第一金属触头,所述未连接的所述第二金属触头为所述两个或更多个装置分块的第二金属触头中,未连接到任一第一金属触头的第二金属触头。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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