[发明专利]图像传感器和其制造方法无效
申请号: | 200710302128.3 | 申请日: | 2007-12-14 |
公开(公告)号: | CN101207148A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 尹盈提 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘继富;蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了图像传感器以及制造方法。可以在光电二极管区域上形成可包含沟槽的绝缘层结构。可以在具有对应于光电二极管区域中的光电二极管的滤色器的绝缘层结构上形成滤色器2结构。所述滤色器的上表面可以大致互相平齐。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:半导体衬底;在所述半导体衬底上的第一像素区中的第一光电二极管、第二像素区中的第二光电二极管、和第三像素区中的第三光电二极管;在所述半导体衬底上的绝缘层结构,其中所述绝缘层结构包括在所述第三像素区域上的沟槽;和在所述绝缘层结构上的滤色器结构,所述滤色器结构包括对应于所述第一像素区的第一滤色器,对应于所述第二像素区的第二滤色器,和对应于所述第三像素区域的第三滤色器;其中在所述沟槽上提供所述第三滤色器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的