[发明专利]图像传感器和其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710302347.1 申请日: 2007-12-25
公开(公告)号: CN101221964A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 尹盈提 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/822
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 蔡胜有;王春伟
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括光电二极管区域、绝缘层结构、防止漏光单元、滤色器和微透镜。半导体衬底的像素区域中的光电二极管区域产生对应于入射光的电信号。光电二极管区域包括第一光电二极管、第二光电二极管、和第三光电二极管。所述绝缘层结构包括对应于第一到第三光电二极管之间的边界的沟槽。防止漏光单元形成在所述光电二极管之间的沟槽中并且防止光通过沟槽。滤色器对应于第一到第三光电二极管而形成在绝缘层结构上,并且微透镜对应于每个滤色器位于滤色器上。
搜索关键词: 图像传感器 制造 方法
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:在半导体衬底的像素区域中的光电二极管区域,用于产生对应于入射光的电信号并且包括第一光电二极管、第二光电二极管和第三光电二极管;具有对应于所述第一光电二极管、第二光电二极管和第三光电二极管的两个或更多个之间边界的沟槽的绝缘层结构;在所述沟槽中的防止漏光单元,用于防止光通过所述沟槽;在所述绝缘层结构上对应于所述第一光电二极管、第二光电二极管和第三光电二极管的滤色器;和在所述滤色器上对应于每个所述滤色器的微透镜。
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