[发明专利]图像传感器和其制造方法无效
申请号: | 200710302347.1 | 申请日: | 2007-12-25 |
公开(公告)号: | CN101221964A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 尹盈提 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蔡胜有;王春伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括光电二极管区域、绝缘层结构、防止漏光单元、滤色器和微透镜。半导体衬底的像素区域中的光电二极管区域产生对应于入射光的电信号。光电二极管区域包括第一光电二极管、第二光电二极管、和第三光电二极管。所述绝缘层结构包括对应于第一到第三光电二极管之间的边界的沟槽。防止漏光单元形成在所述光电二极管之间的沟槽中并且防止光通过沟槽。滤色器对应于第一到第三光电二极管而形成在绝缘层结构上,并且微透镜对应于每个滤色器位于滤色器上。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:在半导体衬底的像素区域中的光电二极管区域,用于产生对应于入射光的电信号并且包括第一光电二极管、第二光电二极管和第三光电二极管;具有对应于所述第一光电二极管、第二光电二极管和第三光电二极管的两个或更多个之间边界的沟槽的绝缘层结构;在所述沟槽中的防止漏光单元,用于防止光通过所述沟槽;在所述绝缘层结构上对应于所述第一光电二极管、第二光电二极管和第三光电二极管的滤色器;和在所述滤色器上对应于每个所述滤色器的微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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