[发明专利]利用磁畴壁移动的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710303545.X | 申请日： | 2007-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101241755A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 黄仁俊;李成喆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用磁畴壁移动的半导体器件以及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括设置在衬底上且具有多个磁畴的磁性层，以及使磁性层中的磁畴壁移动的能量供应单元。该磁性层平行于衬底而形成，且包括沿磁性层纵向交替形成的多个凸起部和多个凹陷部。该磁性层具有台阶形态以保证在一位单元中磁畴壁的可靠移动。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁畴壁 移动 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：设置在衬底上且具有多个磁畴的磁性层；以及供应能量从而在所述磁性层中移动磁畴壁的单元，其中所述磁性层平行于衬底而形成且包括沿磁性层纵向交替形成的多个凸起部和多个凹陷部。
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