[发明专利]一种氮化物材料的外延方法无效
| 申请号： | 200710304210.X | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101469451A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 段瑞飞;王军喜;曾一平;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/02;C30B25/18;H01L21/205;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种高性能氮化物材料的低成本外延方法。包括：采用图形衬底或者应力释放层作为衬底；采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)模式生长成核层；采用氢化物气相外延(HVPE)模式生长铝镓铟氮(AlGaIn)N缓冲层；采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)模式生长光电子材料的器件结构。通过本发明可以实现高性能氮化物外延材料的低成本生长，发挥HVPE和MOCVD结合的最大性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 材料 外延 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种高性能氮化物材料的低成本外延方法，包括：采用图形衬底或者应力释放层作为衬底；采用金属有机物化学气相沉积模式生长成核层；采用氢化物气相外延模式生长铝镓铟氮缓冲层；采用金属有机物化学气相沉积模式生长光电子材料的器件结构。
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