[发明专利]选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法无效
| 申请号： | 200710304254.2 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101471541A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王桓;朱洪亮;潘教青;程远兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22;H01S5/06;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法，包括：在半绝缘InP衬底上制作掩膜条图形；依次外延生长重掺杂n-InP缓冲层、1.2Q下限制层、调制器的多量子阱结构、激光器的多量子阱结构、1.2Q上限制层与n-InP反型层；将选择区域外延区叠层多量子阱结构中的上叠层多量子阱结构和光端区域的下叠层多量子阱结构、1.2Q下限制层腐蚀掉；在大面积生长区制作光栅，光栅刻透反型层并深入1.2Q上限制层；依次外延生长p-InP保护层、刻蚀阻止层、p-InP盖层与p-InGaAs层；将电隔离区域的p-InGaAs层腐蚀掉后，通过向该区域内的p-InP盖层中进行离子注入产生高阻抗区。 | ||
| 搜索关键词： | 选择 区域 外延 行波 吸收 调制 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法，其特征在于，包括：在衬底(101)上制作掩膜条图形(117)；在衬底(101)上依次外延生长重掺杂n-InP缓冲层(102)、1.2Q下限制层(103)、调制器的多量子阱结构(104)、激光器的多量子阱结构(105)、1.2Q上限制层(106)与n-InP反型层(107)；将选择区域外延(SAG)区(113)～(114)叠层多量子阱结构中的上叠层多量子阱结构(105)和光端区域(113)的下叠层多量子阱结构(104)、1.2Q下限制层(103)腐蚀掉；在大面积生长区制作光栅(108)，光栅刻透反型层(107)并深入1.2Q上限制层(106)；依次外延生长p-InP保护层(109)、刻蚀阻止层(110)、p-InP盖层(111)与p-InGaAs层(112)；将电隔离区域(115)的p-InGaAs层腐蚀掉后，通过向该区域内的p-InP盖层中进行离子注入产生高阻抗区，实现电隔离。
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