[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器及其图像信号检测方法无效
| 申请号： | 200710305135.9 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101188700A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李东明;金东秀;韩囝熙;咸锡宪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器包括光电二极管、开关和比较器。所述开关将感测信号传送给来自所述光电二极管的感测节点。所述比较器比较所述感测节点的感测信号与参考信号，其中所述比较器直接连接到所述感测节点。所述比较器输出对应于所述感测信号和所述参考信号之间的电压差的信号。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 及其 图像 信号 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器，其包括：光电二极管；开关，用于将感测信号从光电二极管传送给感测节点；以及比较器，其直接连接到感测节点，用于将感测节点的感测信号与参考信号进行比较。
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