[发明专利]分解图案的方法、计算机可读介质、器件制造方法和掩模有效
申请号: | 200710305162.6 | 申请日: | 2007-11-14 |
公开(公告)号: | CN101241300A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 罗伯特·索哈 | 申请(专利权)人: | ASML蒙片工具有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种将包含待在晶片上印制的特征的目标图案分解为多个图案的方法。所述方法包括步骤:(a)限定表示在待成像的特征之间的最小必需间隔的影响区域;(b)选择与目标图案的特征相关联的顶点;(c)确定另一特征的边缘是否位于与所述顶点相关的影响区域内;以及(d)如果另一特征的边缘位于所述影响区域内,则将所述另一特征分割为两个多边形。 | ||
搜索关键词: | 分解 图案 方法 计算机 可读 介质 器件 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于将包含待印制到晶片上的特征的目标图案分解为多个图案的方法,所述方法包括步骤:(a)限定表示在待成像的特征之间的最小必需间隔的影响区域;(b)选择与所述目标图案的特征相关联的顶点;(c)确定另一特征的边缘是否位于与所述顶点相关的所述影响区域内;以及(d)如果另一特征的所述边缘位于所述影响区域内,则将所述另一特征分割为两个多边形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML蒙片工具有限公司,未经ASML蒙片工具有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710305162.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:癌症的治疗
- 下一篇:图标排列的方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备