[发明专利]含扩散势垒层的存储节点、相变存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710305197.X | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101192649A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朴钟峰;申雄澈;李张昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种相变存储器件以及一种制造相变存储器件的方法。相变存储器件可以包括开关元件以及连接到开关元件的存储节点，其中存储节点包括底部电极和顶部电极、插置在底部电极和顶部电极之间的相变层以及插置在顶部电极和相变层之间的钛－碲(Ti－Te)基扩散势垒层。Ti－Te基扩散势垒层可以为TixTe1－x层，其中x可以大于0并且小于0.5。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 势垒层 存储 节点 相变 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储节点，包括：底部电极和顶部电极；插置在该底部电极和该顶部电极之间的相变层；以及插置在该顶部电极和该相变层之间的Ti-Te基扩散势垒层。
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