[发明专利]半导体光学元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO₂膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO₂膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO₂膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO₂膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO₂膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p－GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。

主权项

1、一种半导体光学元件的制造方法，包括：在半导体基板上依次层叠第1导电类型的第1半导体层、有源层、第2导电类型的第2半导体层及保护层，形成半导体层叠结构的工序；在该半导体层叠结构的表面上涂敷抗蚀剂，利用照相制版工艺形成包括具有对应于波导路径脊的宽度的带状抗蚀剂膜部分的第1抗蚀剂图形的工序；将该第1抗蚀剂图形作为掩膜，利用蚀刻去除保护层使第2半导体层露出的工序；通过将第1抗蚀剂图形作为掩膜，利用干蚀刻去除第2半导体层的上表面侧的一部分，在底部形成残留了第2半导体层的一部分的凹部，由此形成波导路径脊的工序；去除第1抗蚀剂图形，在含有凹部和最表面上具有保护层的波导路径脊的半导体层叠结构的表面上，形成第1绝缘膜的工序；露出在波导路径脊顶部上形成的第1绝缘膜的表面，同时借助于具有比波导路径脊的第2半导体层表面高且比波导路径脊顶部上的第1绝缘膜表面低的表面的抗蚀剂膜埋设与波导路径脊邻接的凹部的第1绝缘膜，形成第2抗蚀剂图形的工序；将第2抗蚀剂图形作为掩膜、利用干蚀刻去除第1绝缘膜，露出波导路径脊的保护层表面的工序；利用湿蚀刻去除保护层，露出第2半导体层的工序；以及在露出波导路径脊的第2半导体层的表面上形成电极层的工序。