[发明专利]一种对多层非易失性存储器设备编程的方法有效
| 申请号： | 200710306192.9 | 申请日： | 2007-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101197190A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡东赫;边大锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种对多层非易失性存储器编程的方法。多个多位存储单元能够存储不同层的可用于表示数据的电荷，所述由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)表示的数据被首先以LSB然后以MSB编程。当编程过的存储单元具有小于电压VR1的阈值电压时存储第一值，当具有大于电压VR1并小于电压VR2的阈值电压时存储第二值，当具有大于电压VR2并小于电压VR3的阈值电压时存储第三值。当期望存储单元存储第四值时，每一个单元具有大于电压VR3的阈值电压。VR1小于VR2，VR2小于VR3。标识单元被编程为具有大于VR3的阈值电压以指示MSB数据已经被编程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 非易失性存储器 设备 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对多层非易失性存储器编程的方法，该存储器包括至少一个标识单元和多个多位存储单元，多个多位存储单元的每一个能够存储不同层的用于表示数据的电荷，所述数据由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)表示，所述方法包括：对存储单元首先以LSB然后以MSB编程以使得每一个编程过的存储单元：当期望存储单元存储第一值时，具有小于电压VR1的阈值电压；当期望存储单元存储第二值时，具有大于电压VR1并小于电压VR2的阈值电压；当期望存储单元存储第三值时，具有大于电压VR2并小于电压VR3的阈值电压；当期望存储单元存储第四值时，具有大于电压VR3的阈值电压；其中VR1＜VR2＜VR3；并且标识单元被编程为具有大于电压VR3的阈值电压以指示MSB已经被编程。
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