[发明专利]在半导体器件中形成接触的方法无效
| 申请号： | 200710306334.1 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101378034A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 曹祥薰;李相晤 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体器件的方法，更具体涉及在半导体器件中形成接触的方法，包括：提供衬底；在衬底上方形成绝缘层；在绝缘层上方形成用于接触孔的光刻胶图案，其中光刻胶图案包含具有大于所需接触临界尺寸(CD)的临界尺寸(CD)的开口；通过使用光刻胶图案选择性蚀刻绝缘层，以形成接触孔；和在接触孔的侧壁上形成隔离物，直到其侧壁被隔离物覆盖的接触孔的CD减少至所需的接触CD。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括:提供衬底；在所述衬底上方形成绝缘层；在所述绝缘层上方形成用于接触孔的光刻胶图案，其中所述光刻胶图案包含临界尺寸(CD)大于所需的接触CD的开口；使用所述光刻胶图案，通过选择性地蚀刻所述绝缘层形成接触孔；和在所述接触孔的侧壁上形成隔离物，直到侧壁被所述隔离物覆盖的所述接触孔的CD减少至所需的接触CD。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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