[发明专利]液晶显示器的制造方法有效
申请号: | 200710306900.9 | 申请日: | 2007-09-05 |
公开(公告)号: | CN101221925A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 崔升夏;吴旼锡;金湘甲;崔在镐;丁有光 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L21/027;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 戎志敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种制造包括几个区域的液晶显示设备的方法。在形成栅极线层、栅极绝缘体、半导体层、数据层和光刻胶层之后,使用掩模限定光刻胶层的多个区域。某些区域在显影后具有不同厚度的光刻胶层。当曝光栅极垫和数据垫时,同时对栅极垫和数据垫应用刻蚀处理。然后,钝化层被沉积在通过接触孔暴露的栅极垫和数据垫之上。当在覆盖层中形成其它接触孔时,数据垫和栅极垫可被暴露以在相同的时间段内进行刻蚀处理。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示器的制造方法,包括:在绝缘衬底上形成栅极线;在栅极线上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上顺序形成半导体层和数据层;在数据层上形成一定厚度的感光膜;通过用掩模对感光膜曝光,以选择性地显影感光膜的预定部分从而形成第一感光膜图案,配置该掩模以便在感光膜中限定多个区域,所述多个区域中的一些区域具有被显影和未被显影的厚度,其中在第一区域中感光膜有第一未显影厚度,在第二区域中感光膜有第二未显影厚度,在第三区域中感光膜有比第二未显影厚度更小的第三未显影厚度,以及在第四区域中感光膜显影的厚度等于感光膜的厚度;去除感光膜的显影部分;使用第一感光图案刻蚀在第四区域下的数据层、半导体层和栅极绝缘层;通过灰化第一感光膜图案形成第二感光图案,从而暴露在第三区域下的数据层;通过使用第二感光膜图案来刻蚀数据层和半导体层,以形成包括初级源漏图案及末端部分的数据线和半导体图案;通过灰化第二感光膜图案形成第三感光膜图案,从而暴露第二区域下的初级源漏图案;通过使用第三感光膜图案刻蚀暴露的初级源漏图案以形成源电极和漏电极;及去除第三感光膜图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造