[发明专利]薄膜晶体管及制造方法以及包括其的有机发光显示设备有效
| 申请号： | 200710307439.9 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101252150A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 徐晋旭;朴炳建;梁泰勋;李基龙 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李家麟;陈景峻 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括：衬底；设置在衬底上的半导体层，包括源极区域、漏极区域和沟道区域，并且由多晶硅层构成；设置成与半导体层的沟道区域对应的栅极电极；设置在半导体层和栅极电极之间的栅极绝缘层；以及分别电连接到半导体层的源极区域和漏极区域的源极电极和漏极电极，其中，多晶硅层包括相互具有不同拉曼谱峰值的多个区域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 以及 包括 有机 发光 显示 设备 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底；设置在所述衬底上的半导体层，包括源极区域、漏极区域和沟道区域，并且由多晶硅层构成；设置成与所述半导体层的预定区域对应的栅极电极；设置在所述半导体层和所述栅极电极之间的栅极绝缘层；以及分别电连接到所述半导体层的所述源极区域和漏极区域的源极电极和漏极电极，其中，所述多晶硅层包括相互具有不同拉曼谱峰值的多个区域。
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