[发明专利]阱电势触发ESD保护无效
申请号: | 200710307618.2 | 申请日: | 2007-12-11 |
公开(公告)号: | CN101409280A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 本杰明·范坎普 | 申请(专利权)人: | 沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/04;H01L23/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭 放 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种阱电势触发ESD保护。在本发明的用于提供ESD保护的集成电路中包括具有至少一个交错叉指的晶体管器件,该交错叉指具有衬底区域、源区、漏区和在位于源区和漏区之间的沟道区上形成的栅区。晶体管器件进一步包括与源区相邻地形成的至少一个高掺杂结,以测量衬底区域的电压。该集成电路进一步包括连接到至少一个高掺杂结的开关电路,使得电压传输到开关电路,以吸取所有的ESD电流或者触发以吸取所有的ESD电流。 | ||
搜索关键词: | 电势 触发 esd 保护 | ||
【主权项】:
1、一种静电放电保护电路、即ESD保护电路,所述电路包括:具有第一导电类型的轻掺杂区域的衬底区域;基本在衬底区域上形成的至少一个交错叉指;所述至少一个交错叉指包括至少一个第二导电类型的源区、至少一个第二导电类型的漏区、以及在位于所述源和漏区之间的沟道区上形成的至少一个栅区;以及与至少一个所述交错叉指的源区基本相邻地形成的至少一个第一导电类型的高掺杂结,其中所述至少一个高掺杂结可操作地测量衬底区域的电势。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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