[发明专利]复杂形状碳化硅的消失模成型方法无效
申请号: | 200710307701.X | 申请日: | 2007-12-21 |
公开(公告)号: | CN101209922A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 乔冠军;徐顺建;李涤尘;高积强;王红洁;杨建锋;王继平 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/622;C01B31/36 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张震国 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种复杂形状碳化硅的消失模成型方法。首先根据制件实际要求,设计及加工聚乙烯泡沫模具,把酚醛树脂混合物浇注到模具中,经固化成型及碳化制备得到一定形状的多孔碳预制体。聚乙烯泡沫模具则在碳化过程中因高温分解而自行去除。随后对多孔碳预制体进行原位反应制备出复杂形状的适于腐蚀、磨损、高温环境使用的碳化硅制件。该方法有效的解决了碳化硅复杂形状制件制备问题。具有低成本、一次性成型以及易工业化生产等特点。 | ||
搜索关键词: | 复杂 形状 碳化硅 消失 成型 方法 | ||
【主权项】:
1.复杂形状碳化硅的消失模成型方法,其特征在于:包括下述步骤1)固化成型:根据制件实际要求,采用聚乙烯泡沫加工模具,按6.25∶6.25∶1的重量比将酚醛树脂、乙二醇和苯磺酰氯在室温下搅拌30min,把酚醛树脂的混和物浇注到模具中,进行固化处理;2)碳化:在N2保护下进行碳化,由室温升至600~800℃保温1h,升温速率为1.5℃/min,完成保温后随炉冷却至300℃以下停止供N2得到多孔碳预制体;3)渗硅:在石墨坩埚中放入工业硅粒,多孔碳预制体平置于硅粒上,然后将坩埚放入真空电阻炉中,抽真空并以8℃/min升温速度加热到800℃后停止抽真空,再通入N2气,并以6℃/min升温速度继续加热至1550℃,保温30~120min;4)排硅:保温后再次抽真空,并升温至1550℃~1650℃,保温10~30min,冷却后即制得碳化硅制件。
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