[发明专利]在硅基底上制备二氧化钛或二氧化锆微图案方法无效
| 申请号： | 200710307722.1 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459053A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 陈淼;梁山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/36;C23C18/06;C23C18/12;C23C18/54 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅基底上制备二氧化钛或二氧化锆微图案方法。本发明以廉价的无机盐水溶液作为原料来替代传统的金属醇盐，以化学沉积法制得了图案化的二氧化钛、二氧化锆的无机物薄膜。紫外光照使得硅表面荷正电，抑制了无机物在该区域的沉积。所得到的氧化物图案为负相图案。该方法未对表面进行任何修饰，在完全亲水的表面上即可获得图案，具有操作简单，成本低廉的优点，且拓展了光电效应在图案化领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 制备 氧化 氧化锆 图案 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在硅基底上制备二氧化钛或二氧化锆微图案方法，其特征在于该方法包括以下步骤：A、硅基底的处理依次用甲苯、丙酮、乙醇超声清洗硅片，然后置于浓硫酸和双氧水的混合溶液(Piranha溶液)中于90℃煮20-40分钟，水冲洗，氮气吹干；B、紫外光照硅片上放置光掩膜板，同时用石英片压紧，于紫外灯下光照30～90min，移去掩膜板，静置；C、化学沉积将光照后的硅片放入过氧硫酸钛或过氧硫酸锆的水溶液中于80℃下沉积20～30分钟，丙酮清洗，更换澄清溶液，重复该过程几次。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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