[发明专利]半导体集成电路及其操作方法无效
| 申请号： | 200710307761.1 | 申请日： | 2007-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101231882A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 朴德夏;宋基焕;金真怜 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/4063;G11C11/4096;G11C11/408;G11C11/4091 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体集成电路及其操作方法。一个实施例包括多条字线、多条源极线、与所述多条字线交叉的多条位线，以及在多条字线和多条位线的交叉点形成的多个存储器单元。所述多个存储器单元的每一个为浮置体单元。每个浮置体单元的栅极连接到字线之一，每个浮置体单元的漏极连接到位线之一，并且每个浮置体单元的源极连接到源极线之一。至少一个位线和源极线选择电路被配置成选择性地将多条位线中的每一条连接到第一输出位线，并且选择性地将源极线连接到源极电压。至少一个读出放大器被配置成基于第一输出位线上的电压读出数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，包括：多条字线；多条源极线；与所述多条字线交叉的多条位线；在多条字线和多条位线的交叉点形成的多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一个为浮置体单元，每个浮置体单元的栅极连接到字线之一，每个浮置体单元的漏极连接到位线之一，并且每个浮置体单元的源极连接到源极线之一；至少一个位线和源极线选择电路，其被配置成选择性地将多条位线中的每一条连接到第一输出位线，并且选择性地将源极线连接到源极电压；以及至少一个读出放大器，其被配置成基于第一输出位线上的电压读出数据。
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