[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710308107.2 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101211956A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 吴熙星 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，尤其涉及一种能够提高浮置扩散区的电子储存量的CMOS图像传感器及其制造方法。所述CMOS图像传感器包括：第一栅电极，位于半导体衬底上；光电二极管，在所述半导体衬底中位于所述第一栅电极的一侧；浮置扩散区，在所述半导体衬底中位于所述第一栅电极的相对一侧；电容，包括连接到所述浮置扩散区的下电容电极、位于所述下电容电极上的电介质层、上电容电极；以及连接所述下电容电极的驱动晶体管，具有连接到所述浮置扩散区的第二栅电极。因为提高了浮置扩散节点的电子储存量，所以能够改善图像传感器的动态范围。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，包括：第一栅电极，位于半导体衬底上；光电二极管，在所述半导体衬底中位于所述第一栅电极的一侧；浮置扩散区，在所述半导体衬底中位于所述第一栅电极的相对一侧；电容，包括连接到所述浮置扩散区的下电容电极、位于所述下电容电极上的电介质层、上电容电极；以及驱动晶体管，具有连接到所述浮置扩散区和所述下电容电极的第二栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
