[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710308389.6 | 申请日： | 2007-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101281857A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 郑宇荣 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的微细图案的方法，包括：在半导体衬底上方形成蚀刻目标层、硬掩模层、底部抗反射涂(BARC)层和第一光刻胶图案。在第一光刻胶图案的表面上形成有机层。在BARC层和有机层上方形成第二光刻胶层。实施蚀刻过程，使得第二光刻胶层保留在第一光刻胶图案之间的BARC层上，并且成为第二光刻胶图案。移除在第一光刻胶图案上和在第一与第二光刻胶图案之间的有机层。移除在有机层下方形成的BARC层。使用第一和第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻硬掩模层。使用硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻蚀刻目标层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的微细图案的方法，该方法包括：在半导体衬底上方形成蚀刻目标层、硬掩模层、底部抗反射涂(BARC)层和含硅(Si)的第一光刻胶图案；在所述第一光刻胶图案的表面上方形成有机层；在所述BARC层和所述有机层上方形成含硅(Si)的第二光刻胶层；实施第一蚀刻过程，使得所述第二光刻胶层保留在所述第一光刻胶图案之间的所述BARC层上，并且成为第二光刻胶图案；移除在所述第一光刻胶图案上和在所述第一和第二光刻胶图案之间的所述有机层以及在所述有机层下方形成的所述BARC层；通过使用所述第一和第二光刻胶图案作为蚀刻掩模的第二蚀刻过程来蚀刻所述硬掩模层，由此形成硬掩模图案；和通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模的第三蚀刻过程来蚀刻所述蚀刻目标层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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