[实用新型]一种ZnO MSM结构的紫外光电导探测器无效
| 申请号： | 200720031739.4 | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN201060051Y | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张景文;边旭明;毕臻;徐庆安;杨晓东;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01J1/44 | 分类号： | G01J1/44 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高性能ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，该结构包括一衬底，该衬底上沉积有ZnO薄膜层，在ZnO薄膜层上刻有作为欧姆接触的叉指电极图形，所述的叉指电极的对数为30～50，叉指电极的间距和指宽分别为10μm和30μm，叉指电极图形上还沉积有Al层或透明导电薄膜ITO层。本实用新型的ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，灵敏度高、响应速度快，整个制备过程简单，成本低廉，易于控制；若在Si基衬底上制作，则可与常规的Si工艺兼容，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno msm 结构 紫外光 电导 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，其特征在于，包括一衬底，该衬底上沉积有ZnO薄膜层，在ZnO薄膜层上刻有作为欧姆接触的叉指电极图形，所述的叉指电极的对数为30～50，叉指电极的间距和指宽分别为10μm和30μm，叉指电极图形上还沉积有Al层或透明导电薄膜ITO层。
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