[实用新型]MOS型过温保护电路无效
| 申请号： | 200720036138.2 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN201038745Y | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 易扬波;陶平 | 申请（专利权）人： | 无锡博创微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214028江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种MOS型过温保护电路，包括：温度信号采样电路和窗口形成电路，温度信号采样电路，有一个NMOS管(M1)和一个二极管(D1)连接而成，用于检测电路的温度变化，窗口形成电路，由两个NMOS管(M3、M4)和反向器(A1)连接而成，本实用新型电路具有以下优点：第一，温度信号采样电路不使用采样电阻，消除了过温保护电路对采样电阻精度的要求；第二，本方案过温点和窗口的设计与MOS管的阈值电压不相关，因此过温保护的精度相对普通的过温保护电路有了很大改善；第三，该电路不使用三极管，能广泛应用于MOS集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | mos 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种MOS型过温保护电路，包含过温保护电路，其特征在于：在该电路上连接有一个NMOS管(M1)和一个二极管(D1)连接而成的温度信号采样电路。
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