[实用新型]硅衬底平面LED集成芯片无效
| 申请号： | 200720048213.7 | 申请日： | 2007-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN201022077Y | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 吴纬国 | 申请（专利权）人： | 广州南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/075;H01L23/488 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 | 代理人： | 李彦孚 |
| 地址： | 510663广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种成本低、工艺简便、散热效果好、可实现多种连接方式的硅衬底平面LED集成芯片。本实用新型包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，硅衬底(2)顶面于每个LED裸芯片(1)处有两个分离的沉积金属层(3)，LED裸芯片(1)正装或倒装焊接在金属层(3)上，硅衬底(2)于每个LED裸芯片(1)处有阱区(7)，各金属层(3)与硅衬底(2)的结合区分别还有掺杂的隔离层(5)，隔离层(5)位于阱区(7)内，各LED裸芯片(1)对应的金属层(3)之间设有阻挡层(6)。本实用新型可广泛应用于LED集成领域。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 平面 led 集成 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种硅衬底平面LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)顶面于每个所述LED裸芯片(1)处有两个分离的沉积金属层(3)，若干个所述LED裸芯片(1)正装或倒装焊接在各所述金属层(3)上，所述硅衬底(2)于每个所述LED裸芯片(1)处有一个阱区(7)，各所述金属层(3)与所述硅衬底(2)的结合区分别还有一个掺杂的隔离层(5)，所述隔离层(5)位于所述阱区(7)内，各所述LED裸芯片(1)对应的所述金属层(3)之间设有阻挡层(6)，所述金属层(3)引出阳极接点(80)和阴极接点(81)。
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