[实用新型]场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路无效

专利信息
申请号: 200720050175.9 申请日: 2007-04-04
公开(公告)号: CN201038996Y 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 毛宏建 申请(专利权)人: 美的集团有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M7/5387
代理公司: 佛山市粤顺知识产权代理事务所 代理人: 唐强熙
地址: 528300广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及一种场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路,包括串接的压控振荡器VCO和后续驱动电路DRIVER,VCO与DRIVER之间设置有脉宽调制集成电路,VCO作为脉宽调制集成电路的信号发生装置,给其输入一个频率可变的波形信号;脉宽调制集成电路连接有分压电路和滤波电路。所述脉宽调制集成电路为集成芯片TL494。所述VCO与TL494的第3脚连接;TL494的第5脚串接有分压电路;TL494的第7脚与第12脚之间并接有滤波电路。该电路设计比较简单,具有灵活可靠、成本低廉、低频适应性优异等特性。特别适用于电磁炉、大功率焊接设备、大功率开关电源等功率变换电路中。
搜索关键词: 场效应 晶体管 死区 控制 驱动 信号 发生 电路
【主权项】:
1.一种场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路,包括串接的压控振荡器VCO和后续驱动电路DRIVER,其特征是所述VCO与DRIVER之间设置有脉宽调制集成电路,VCO作为脉宽调制集成电路的信号发生装置,给其输入一个频率可变的波形信号;脉宽调制集成电路连接有分压电路和滤波电路。
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