[实用新型]一种发光二极管的晶片无效
| 申请号： | 200720053762.3 | 申请日： | 2007-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN201069779Y | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 樊邦弘 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型是一种发光二极管的晶片，包括衬底，在衬底上依次生长而成的N层和P层，以及给P层和N层提供电源的P层电极和N层电极，其特征在于：所述P层上开设有字母“N”形状的凹槽，该凹槽由P层顶面深入至N层顶面，N层电极嵌于凹槽内并且N层电极上顶面伸出P层，下底面与N层接触；在N层电极与P层之间填充有绝缘层，P层电极位于N层电极拐角之间呈三角形覆盖在P层上，而绝缘层可由导热材料制成，因此增大了电极与P层的接触面积，使电流分布更加均匀，因此可以提高发光效率，同时也增加了散热面积，散热效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的晶片，包括衬底，在衬底上依次生长而成的N层和P层，以及给P层和N层提供电源的P层电极和N层电极，其特征在于：所述P层上开设有字母“N”形状的凹槽，该凹槽由P层顶面深入至N层顶面，N层电极嵌于凹槽内并且N层电极上顶面伸出P层，下底面与N层接触；在N层电极与P层之间填充有绝缘层，P层电极位于N层电极拐角之间呈三角形覆盖在P层上。
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