[实用新型]两面光照的HIT太阳电池

摘要

一种新型两面光照的HIT太阳电池结构，在N型单晶硅片的两面分别沉积一层本征非晶硅薄膜(i a－Si)，再在正面的本征非晶硅薄膜上沉积P型氢化非晶碳化硅薄膜(p a－SiC:H)，在背面的本征非晶硅薄膜上沉积N型氢化非晶碳化硅薄膜(n a－SiC:H)或者N型微晶硅薄膜(n uc－Si)，然后在两面分别镀上ITO透明导电膜，丝网印刷正面、背面金属电极，烧结金属即电极金属化。优点是有非常高的电池转化效率，电池的稳定性好。

主权项

1. 一种两面光照的HIT太阳电池，其特征是，在N型单晶硅片的正面本征非晶硅薄膜ia-Si上，沉积P型氢化非晶碳化硅薄膜pa-SiC:H；在N型单晶硅片的背面本征非晶硅薄膜ia-Si上，A，沉积N型氢化非晶碳化硅薄膜na-SiC:H，形成N/N+高低结；或者B，沉积N型微晶硅薄膜nuc-Si，形成N/N+高低结。