[实用新型]一种化学气相沉积设备无效
| 申请号： | 200720067980.2 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN201049963Y | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张文锋;马峰;徐亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种化学气相沉积设备，其包括形成真空的反应室，设置在该反应室底部的底座，设置在反应室上方且用于向反应室内提供反应气体的若干入口，设置在反应室内的用于承载晶圆的基座，设置在反应室两侧的用于排出废气的出口；其中，反应室的侧壁和反应室的底部之间没有间隙，从而保证该反应室的废气只从出口流出。本实用新型还包括一个隔板，该隔板设置在底座上，并且紧靠反应室的侧壁上，将反应室侧壁和底座之间的间隙完全遮蔽。与现有技术相比，本实用新型可以保证反应室的废气仅从出口流出，以便精确控制反应室内的气流速率，保护反应气氛，根据气流速率可以很好的控制沉积速率，从而提高反应室的气体沉积均匀度和相对厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相沉积设备，其包括形成真空的反应室，设置在该反应室底部的底座，设置在反应室上方且用于向反应室内提供反应气体的若干入口，设置在反应室内的用于承载晶圆的基座，设置在反应室两侧的用于排出废气的出口；其特征在于：反应室的侧壁和反应室的底部之间没有间隙，从而保证该反应室的废气只从出口流出。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
