[实用新型]用于晶体生长的多温区发热体无效
申请号: | 200720070245.7 | 申请日: | 2007-05-25 |
公开(公告)号: | CN201043196Y | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 李红军;苏良碧;徐军;钱小波;周国清 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;C30B11/00;C30B15/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种多温区发热体,自下而上由三个发热元件组构成的圆筒形发热体:发热元件组A由在一直径为D的圆周上相对坚直地放置不接触的两半圆弧形发热瓦片组成;发热元件组B由八块圆弧形发热瓦片构成,任意两个瓦片为一组形成一个U形元件,四个U形元件彼此不接触地坚直地放置在所述的发热元件组A上;发热元件组C由十六块圆弧形发热瓦片构成,任意四个瓦片形成一个M形元件,四个M形元件彼此不接触坚直地置放在所述的发热元件组B上;发热元件组A的顶面与发热元件组B中两个相对的U形元件的底面相连,其余部分不接触;发热元件组B中任一个U形元件的两个顶面分别与发热元件组C中两个M形元件的相邻的两个瓦片的底面相连。 | ||
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【主权项】:
1.一种用于晶体生长的多温区发热体,其特征在于自下而上由下列三个发热元件组构成的圆筒形发热体:发热元件组A由两块弦宽为2WA、高度为HA、厚度为T的圆弧形发热的第一瓦片(1)和第二瓦片(2)组成,它们相对坚直地放置在一直径为D的圆上,并保持彼此之间不接触;发热元件组B由八块弦宽为WB、高度为HB、厚度为T的圆弧形发热瓦片构成,其中任意两个第三瓦片(3)、第四瓦片(4)为一组,第三瓦片(3)的右下角与第四瓦片(4)的左下角相连,其余部分不接触,形成一个“U形”元件,如此每两个瓦片相连,形成四个“U形”元件;将这四个“U形”元件依次坚直放置在直径为D的圆上,并保持彼此之间不接触;发热元件组C由十六块弦宽为WC、高度为HC、厚度为T的圆弧形发热瓦片构成,其中任意四个第五瓦片(5)、第六瓦片(6)、第七瓦片(7)、第八瓦片(8)为一组,第五瓦片(5)的右上角与第六瓦片(6)的左上角相连,第六瓦片(6)的右下角与第七瓦片(7)的左下角相连,第七瓦片(7)的右上角与第八瓦片(8)的左上角相连,其余部分不接触,形成一个“M形”元件;如此每四个瓦片相连,形成四个“M形”元件;将这四个“M形”元件依次坚直放置于直径为D的圆上,并保持彼此之间不接触;发热元件组A中两个第一瓦片(1)、第二瓦片(2)的顶面分别与发热元件组B中两个相对的“U形”元件的底面相连,其余部分不接触;发热元件组B中任一个“U形”元件的两个顶面分别与发热元件组C中两个“M形”元件的相邻的两个瓦片的底面相连。
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