[实用新型]低电容过压保护器件

摘要

一种涉及防雷系统中的低电容过压保护的半导体器件，尤指一种主要在高频领域应用的，其电容要求在30pF以下的低电容过压保护器件。该装置由发射结、集电结、引脚及引线框架的半导体器件等组成，该芯片由三个P－N结组成双端四层双向对称结构，每一组自上而下依次分别掺杂为N₂、P₂、N₁、P₁四层，在发射结的外侧刻有铝层A，在铝层A的外侧设有铜引脚A，在N区和P区之间设有短路孔；该半导体保护芯片的引脚通过金属引线与引线框架相连接。本实用新型的优点：该器件具有三个P－N结组成的双端四层双向对称结构，主要应用在高频领域，其电容要求在30pF以下的低电容过压保护器件，提高了可靠性，降低了成本。

主权项

1. 一种低电容过压保护器件，该器件有发射结、集电结、引脚及引线框架的半导体器件，其特征在于：该芯片由三个P-N结组成双端四层双向对称结构，每一组自上而下依次分别掺杂为N2、P2、N1、P1四层，形成正偏发射结(103)，为J1结，正偏转折结(105)，为J3结，负偏集电结(104)，为J2结；在发射结(103)的外侧刻有铝层A(102)，在铝层A(102)的外侧设有铜引脚A(101)，在N区(109)的外侧刻有铝层B(106)，在铝层B(106)的外侧设有铜引脚B(107)；在N区(109)和P区(110)之间设有短路孔(108)；该半导体保护芯片的引脚通过金属引线与引线框架相连接。