[实用新型]双光束多阶存储光盘在审
| 申请号： | 200720086709.3 | 申请日： | 2007-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN201111894Y | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 阮昊;李伟权;李曹建 | 申请（专利权）人： | 阮昊;李伟权 |
| 主分类号： | G11B7/007 | 分类号： | G11B7/007 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 200233上海市宜山路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双光束多阶存储光盘，其特征在于：将原DVD盘一个数据单元上的一个信息坑变为两个孪生信息坑，两个孪生信息坑长度3T～14T，最短信息坑长度3T为0.4μm，宽度0.2～0.3μm，孪生信息坑间距0.3～0.4μm，道间距为0.74μm。本实用新型用两个较细的在弧线方向上并列的信息坑代替原有的单信息坑，通过两个孪生信息坑的有无进行编码(00，01，10，11)，这样，在不改变硬件参数的条件下可以将存储容量扩大，单面单层容量可达11G(不考虑编码效率和格式效率)，另外，读取速度也会加快。 | ||
| 搜索关键词： | 光束 存储 光盘 | ||
【主权项】：
1.一种双光束多阶存储光盘，其特征在于：将原DVD盘一个数据单元上的一个信息坑变为两个孪生信息坑，两个孪生信息坑长度3T～14T，最短信息坑长度3T为0.4μm，宽度0.2～0.3μm，孪生信息坑间距0.3～0.4μm，道间距为0.74μm。
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