[实用新型]一种电阻电容型环形振荡器无效
| 申请号： | 200720088238.X | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN201118523Y | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 雷鑑铭;贺黉胤;邹雪城;邹志革;邹望辉 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H03B5/24 | 分类号： | H03B5/24 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种电阻电容型环形振荡器，它包括二个电流通路和二个增益相位调制支路；第一电流通路包括NMOS管M1和PMOS管M2；第二电流通路由PMOS管M3与电流源Iss串联构成；第一增益相位调制支路包括电容C1，电阻R1，PMOS管M5与NMOS管M6；第二增益相位调制支路由第四PMOS管与第四NMOS管串联构成。本实用新型的特征是环路的传输函数在第一增益相位调制支路产生一个低频左半平面的零点的同时，通过第二增益相位调制支路，向第二电流通路耦合了一个右半平面的零点，满足巴克豪森准则以达到振荡的目的。该振荡器结构简单，实现成本低，能够在2.7－5V的工作范围内产生频率为1.544M的振荡，其稳定度可以达到407ppm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 电容 环形 振荡器 | ||
【主权项】：
1、一种电阻电容型环形振荡器，其特征在于：该振荡器的结构为：第一PMOS管(M2)为二极管连接，并与第一NMOS管(M1)串联，第一PMOS管(M2)的源极接外接电源，第一NMOS管(M1)的源极接地；第二PMOS管(M3)栅极与第一PMOS管(M2)栅极相连，第二PMOS管(M3)的源极接外接电源，第二PMOS管(M3)的漏极与电流源的正端相接，电流源的负端接地；第三PMOS管(M5)与第三NMOS管(M6)串联，电容C1接在第三PMOS管(M5)的栅极和外接电源之间，电阻R1接在第三NMOS管(M6)的栅极和漏极之间，第三PMOS管(M5)的源极接外接电源，第三NMOS管(M6)的源极接地；第四PMOS管(M7)栅极与第二PMOS管(M3)漏极相连，第四NMOS管(M8)栅极与第三NMOS管(M6)漏极相连，第四PMOS管(M7)的源极接外接电源，第四NMOS管(M8)源极接地。
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