[实用新型]直拉法生长掺镓硅单晶的装置

摘要

本实用新型涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶的装置。它包括单晶炉、加热器、导流筒、石英坩埚、石墨坩埚、保温盖、保温筒、托盘、固化保温碳毡、固化炉底护盘和排气孔。加热器外围处安装石墨保温筒，保温筒外面安装固化保温碳毡；石墨保温筒上沿也被石墨上托盘的下子口定位，导流筒上沿由在石墨上托盘的上子口定位，上保温盖由石墨上托盘的上面外子口定位。石墨埚杆支撑石墨坩埚，石英坩埚座落在石墨坩埚内，石英坩埚上沿高出石墨坩埚上沿。本实用新型使热场系统内充满氩气，结构简单合理，能提高硅单晶质量，可得到掺镓硅单晶纵向电阻率完全符合要求的大直径低位错密度的掺镓硅单晶，能满足高效太阳能电池衬底材料的要求，有广泛的应用价值。

主权项

1.一种直拉法生长掺镓硅单晶的装置，其特征在于该装置包括单晶炉、加热器、导流筒、石英坩埚、石墨坩埚、保温盖、保温筒、托盘、固化保温碳毡、固化炉底护盘和排气孔；所述的单晶炉炉膛内安装加热器，加热器外围处安装石墨保温筒，保温筒外面安装固化保温碳毡；石墨保温筒座落在固化炉底护盘上的石墨下托盘的子口内，石墨保温筒上沿也被石墨上托盘的下子口定位，导流筒上沿由在石墨上托盘的上子口定位，上保温盖由石墨上托盘的上面外子口定位；石墨埚杆支撑石墨坩埚，石英坩埚座落在石墨坩埚内，石英坩埚上沿高出石墨坩埚上沿。