[实用新型]串联式背电极光电转换装置无效
| 申请号： | 200720098193.4 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN201138663Y | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘津平;刘文韬;高霞 | 申请（专利权）人： | 高霞 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142;H01L31/042;H01L31/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300052天津市和平*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种串联式背电极光电转换装置，该装置表面层上无电极、表面层下至少设有：缓冲层，含至少一个P－N结的、能带隙大于等于1.42eV的光吸收上区，含至少一个P电极和/或集电栅、至少一个N电极和/或集电栅以及透明绝缘隔层的电隔区，含至少一个P－N结的、能带隙大于等于0.67eV的光吸收下区，过渡层，P或N型区的集电栅和/或电极。 | ||
| 搜索关键词： | 串联式 电极 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
1、一种串联式背电极光电转换装置，该装置表面层表面和/或底面为平面或非平坦结构形状，装置表面层表面或覆有减反射膜层，其特征在于：该装置表面层上无电极、表面层下至少设有：缓冲层，含至少一个P-N结的、能带隙大于等于1.42eV的光吸收上区，含至少一个P电极和/或集电栅、至少一个N电极和/或集电栅以及透明绝缘隔层的电隔区，含至少一个P-N结的、能带隙大于等于0.67eV的光吸收下区，过渡层，P或N型区的集电栅和/或电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
