[实用新型]基板处理装置无效
| 申请号： | 200720139676.4 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN201044235Y | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 富藤幸雄 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种基板处理装置，通过至少两次呈帘状供给处理液，从而能够显著降低处理液帘在基板表面供给不均匀的产生概率，且通过增大处理液的供给量而提高处理液的置换性能。该基板处理装置在处理腔室(12)内对在搬送路径上搬送的基板(B)进行处理，该基板处理装置具有配置在搬送路径上方位置的入口喷嘴部(20)。入口喷嘴部(20)一体具有由第一、第二构件(20A、20B)构成的第一喷嘴部、以及由第二、第三构件(20B、20C)构成的第二喷嘴部。第一、第二喷嘴部的喷出口(2012a、2022a)分别在基板的宽度方向上呈帘状喷出处理液。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其在处理槽内对在搬送路径上搬送的基板供给处理液，从而进行给定的处理，其特征在于，该装置包括处理液供给机构，该处理液供给机构配置在所述搬送路径的上方位置处，向搬送中的基板供给处理液，所述处理液供给机构至少具有第一处理液供给机构和第二处理液供给机构，所述第一、第二处理液供给机构分别具有向所述搬送路径的宽度方向呈帘状喷出处理液的细长的第一、第二喷出口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
