[实用新型]芯片防静电保护电路无效
| 申请号： | 200720144303.6 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN201117658Y | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;刘俊文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 200206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种芯片防静电保护电路，包括一可控硅和一N型晶体管，可控硅是一个PNPN结构，P型一端接芯片内部电路的外部信号输入端，N型一端接地；N型晶体管的栅极、漏极共接在芯片内部电路的外部信号输入端，源极接地；可控硅构成的电路工作时P型一端电压维持在正向转折电压和持有电压之间，正向转折电压小于芯片内部电路中晶体管的栅和结的击穿电压且持有电压高于外部输入信号的电压；N型晶体管的开启电压高于外部输入信号的工作电压且小于可控硅电路的持有电压，并且此N型晶体管的栅和结的击穿电压高于可控硅电路的正向转折电压。采用该芯片防静电保护电路能大大提高防静电保护的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1、一种芯片防静电保护电路，其特征在于，包括一可控硅和一N型晶体管，可控硅是一个PNPN结构，P型一端接芯片内部电路的外部信号输入端，N型一端接地；N型晶体管的栅极、漏极共接在芯片内部电路的外部信号输入端，源极接地；可控硅构成的电路工作时P型一端电压维持在正向转折电压和持有电压之间，正向转折电压小于芯片内部电路中晶体管的栅和结的击穿电压且持有电压高于外部输入信号的电压；N型晶体管的开启电压高于外部输入信号的工作电压且小于可控硅电路的持有电压，并且此N型晶体管的栅和结的击穿电压高于可控硅电路的正向转折电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
