[实用新型]大功率LED芯片的封装结构及大功率LED照明器件无效
| 申请号： | 200720151280.1 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN201066696Y | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡勇 | 申请（专利权）人： | 蔡勇 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/075;H01L23/36;H01L23/488 |
| 代理公司： | 杭州中平专利事务所有限公司 | 代理人： | 翟中平 |
| 地址： | 310012浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种由铝基绝缘氧化板构成的大功率LED照明器件，铝基板面为绝缘氧化层，绝缘氧化层上置有电路图形的金属化层，封装一片或2片或多片LED芯片在绝缘氧化层上，LED芯片pn极与金属化层连接。优点：一是将LED芯片与铝基板绝缘氧化层直接连接、直接散热(铝基板的非安装面做成散热翅状)，使LED芯片、电路板和散热器合为一体，减少了热阻形成的数量，同时绝缘氧化层与散热器的无缝连接大大地减少了热阻值，因而极大地提高了散热效果；二是LED芯片pn极与金属化层连接，使大功率LED照明器件得以实现。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 led 芯片 封装 结构 照明 器件 | ||
【主权项】：
1.一种由铝基绝缘氧化板构成的大功率LED照明器件，铝基板(5或6)面为绝缘氧化层(4)，其特征是：绝缘氧化层(4)上置有电路图形的金属化层(1～3)，封装一片或2片或多片LED芯片(10)在绝缘氧化层上，LED芯片pn极(11)与金属化层连接。
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