[实用新型]一种直拉硅单晶制备用坩埚有效
| 申请号： | 200720173483.0 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN201089805Y | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 吴志强;戴小林;崔彬;姜舰 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了直拉硅单晶制备用坩埚，它用在一种名为切克劳斯基(或称直拉)法制造的硅单晶生长方法中，硅晶体在生长室内生长。这种直拉硅单晶制备用坩埚包括：坩埚上部、与下轴连接的埚底，所述的坩埚上部的内侧沿坩埚的轴心等分多块拼装加强圈，另一外圈套在加强圈外。本实用新型优点是：该坩埚重量轻、宜安装，它的使用寿命与原有结构的坩埚相当。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直拉硅单晶 制备 坩埚 | ||
【主权项】：
1.一种直拉硅单晶制备用坩埚，它包括：坩埚上部、与下轴连接的埚底，其特征在于：所述的坩埚上部的内侧沿坩埚的轴心等分多块拼装加强圈，另一外圈套在加强圈外。
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