[实用新型]发光二极管无效
申请号: | 200720182659.9 | 申请日: | 2007-10-24 |
公开(公告)号: | CN201126829Y | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 陈柏洲;黄国瑞;宋嘉斌 | 申请(专利权)人: | 鼎元光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种发光二极管,通过一反射层、一基板、一N型氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓发光层、一P型氮化镓欧姆接触层、一透光导电层、一P型金属电极以及一N型金属电极的组合设计,使该基板形成有周期性排列的多个凸出部,以增加该基板的表面积,再经由该反射层与该基板结合后,大大地提升光与该反射层碰触后反射向上出光的机率,进而有效达到提升发光二极管的发光效率,且该反射层的多个凹陷部与该基板的多个凸出部稳固结合,增加该反射层与该基板的稳固结合力,以使该反射层不致由该基板上脱落,而适用于发光二极管或类似结构。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:一反射层,形成有周期性排列的多个凹陷部;一基板,形成有周期性排列的多个凸出部,且对应结合于该反射层的多个凹陷部;一N型氮化镓欧姆接触层,形成于该基板的上方;一氮化铟镓发光层,形成于该N型氮化镓欧姆接触层的上方;一P型氮化镓欧姆接触层,形成于该氮化铟镓发光层的上方;一透光导电层,形成于该P型氮化镓欧姆接触层的上方;一P型金属电极,与该透光导电层电性耦合;以及一N型金属电极,与该N型氮化镓欧姆接触层电性耦合。
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