[实用新型]一种应用于溅射系统中的密排尖端阳极有效
| 申请号： | 200720191117.8 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN201144281Y | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 李弢;古宏伟;王霈文 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种应用于溅射系统中的密排尖端阳极，以金属作为基体，其中部镂空，镂空部分的内侧边缘是由若干个尖端体连续排列连接而成，且每个尖端体的尖端朝向镂空部分的中部。在溅射设备中是将密排尖端阳极设置在溅射靶材与样品之间，密排尖端阳极的镂空部分与溅射靶材相对。采用本实用新型的密排尖端阳极的溅射设备，是一种能够应用于平面靶溅射批量化制备YBCO薄膜材料的溅射设备，通过加载本实用新型的密排尖端的阳极，极大地消除负氧离子轰击的影响，满足批量化制备的速度和工艺窗口要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 溅射 系统 中的 尖端 阳极 | ||
【主权项】：
1、一种应用于溅射系统中的密排尖端阳极，其特征是：以金属作为基体，其中部镂空，镂空部分的内侧边缘是由若干个尖端体连续排列连接而成，且每个尖端体的尖端朝向镂空部分的中部。
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