[实用新型]P沟道大功率半导体恒电流二极管无效
| 申请号： | 200720200016.2 | 申请日： | 2007-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN201066692Y | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘桥 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 5500*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种P沟道大功率半导体恒电流二极管，它包括N型半导体衬底(2)，在N型半导体衬底(2)上设有P型半导体区域(4)和P型半导体区域(3)，P型半导体区域(4)和P型半导体区域(3)通过电极(7)连接；在P型半导体区域(4)上设有N+型半导体区域(6)，N型半导体衬底(2)、P型半导体区(4)和N+型半导体区(6)通过电极(8)连接；在P型半导体区域(3)上设有N+型半导体(5)，N+型半导体(5)连接电极(9)。本实用新型的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性，具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能，结构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 大功率 半导体 电流 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种P沟道大功率半导体恒电流二极管，它包括N型半导体衬底(2)，其特征在于：在N型半导体衬底(2)上设有一个P型半导体区域(4)和一个P型半导体区域(3)，P型半导体区域(4)和P型半导体区域(3)通过金属电极(7)连接；在P型半导体区域(4)上设有N+型半导体区域(6)，N型半导体衬底(2)、P型半导体区(4)和N+型半导体区(6)通过金属电极(8)连接；在P型半导体区域(3)上也设有N+型半导体(5)，N+型半导体(5)连接金属电极(9)。
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