[实用新型]多孔陶瓷承片台无效
申请号: | 200720201768.0 | 申请日: | 2007-12-25 |
公开(公告)号: | CN201126816Y | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 王广峰;王仲康;柳滨 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京中建联合知识产权代理事务所 | 代理人: | 朱丽岩 |
地址: | 065201河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 一种多孔陶瓷承片台,包括底盘和上台面,底盘和上台面由气道与吸附气源连通,其上台面由陶瓷外环和多孔陶瓷真空内盘配合而成,外环的侧环面与多孔陶瓷真空内盘的外侧面粘接在一起,由长螺栓自上而下将外环下表面与底盘上表面紧密连接,由短螺栓自下而上将多孔陶瓷真空内盘下表面与底盘上表面紧密连接。可避免晶片受力不均、凹凸扭曲、信息失真,保证晶片加工的精度,并大大提高成品率,满足半导体专用设备中在线测试装置的要求,可广泛应用于半导体专用设备行业晶片减薄、抛光等工艺。 | ||
搜索关键词: | 多孔 陶瓷 承片台 | ||
【主权项】:
1. 一种多孔陶瓷承片台,包括底盘和上台面,底盘和上台面由气道与吸附气源连通,其特征在于:上述上台面由外环(1)和多孔陶瓷真空内盘(2)配合而成,外环(1)的侧环面与多孔陶瓷真空内盘(2)的外侧面粘接在一起,由长螺栓(7)自上而下将外环(1)下表面与底盘(3)上表面紧密连接,由短螺栓(6)自下而上将多孔陶瓷真空内盘(2)下表面与底盘(3)上表面紧密连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造