[实用新型]发光二极管的封装结构无效

专利信息
申请号: 200720306524.9 申请日: 2007-12-19
公开(公告)号: CN201167092Y 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: 周欣怡;吴易座;郭慧樱 申请(专利权)人: 亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/075;H01L23/498;H01L23/13;H01L23/36;H01L33/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;张燕华
地址: 中国台湾台北县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种发光二极管的封装结构,此封装结构至少包含:第一陶瓷基板、第二陶瓷基板、至少一发光二极管芯片和连接器。第二陶瓷基板置于第一陶瓷基板上,且具有至少一凹槽。发光二极管芯片以一对一的方式来放置于凹槽内。连接器置放于第一陶瓷基板上,并与发光二极管芯片电性连接,如此可将发光二极管芯片电性连接至其它电子组件。另外,第一陶瓷基板和第二陶瓷基板利用低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired Ceramics)来接合。
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【主权项】:
1、一种发光二极管的封装结构,其特征在于,至少包含:一第一陶瓷基板;一第二陶瓷基板,置于该第一陶瓷基板上,其中该第二陶瓷基板具有至少一凹槽:至少一发光二极管芯片,其中该至少一发光二极管芯片以一对一的方式置于该些凹槽内;以及一连接器,置放该第一陶瓷基板上并与该些发光二极管芯片电性连接。
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