[发明专利]Ti系膜的成膜方法和存储介质有效
| 申请号： | 200780000105.5 | 申请日： | 2007-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101310040A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 成嶋健索;若林哲;多田国弘 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/14 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ti系膜的成膜方法，是在收纳晶片(W)的腔室(31)内，从至少表面由含有Ni的材料构成的喷淋头(40)喷出含有TiCl4气体的处理气体，在配置在腔室(31)内的晶片(W)的表面上形成Ti系膜时，使喷淋头(40)的温度在300℃以上并低于450℃，而且使TiCl4气体的流量为1～12mL/min(sccm)或TiCl4气体分压为0.1～2.5Pa，在规定枚数的晶片(W)上形成Ti系膜；此后使喷淋头(40)的温度为200～300℃，向所述腔室(31)内导入ClF3气体，清洁所述腔室(31)内。 | ||
| 搜索关键词： | ti 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种Ti系膜的成膜方法，是在腔室内，从至少表面由含Ni材料构成的气体喷出部件喷出含有TiCl4气体的处理气体，在配置在腔室内的被处理体的表面形成Ti系膜的Ti系膜成膜方法，包括：使所述气体喷出部件的温度在300℃以上并低于450℃，并且使TiCl4气体的流量为1～12mL/min(sccm)或TiCl4气体的分压为0.1～2.5Pa，在规定枚数的被处理体上形成Ti系膜的工序；和此后，在所述腔室内不存在被处理体的状态下，使所述气体喷出部件的温度为200～300℃，向所述腔室内导入氟系清洁气体，对所述腔室内进行清洁的工序。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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