[发明专利]使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积有效
申请号: | 200780000130.3 | 申请日: | 2007-05-30 |
公开(公告)号: | CN101310039A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | N·K·英格尔;Z·袁;P·基;K·萨普瑞 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文描述沉积氧化硅层于基材上的方法。该方法可包括提供基材至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引至沉积室中的多个步骤。该方法亦可包括引进硅前驱物至沉积室中,其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而形成氧化硅层于基材上,所沉积的氧化硅层可经退火处理。本文亦描述用来沉积氧化硅层于基材上的系统。 | ||
搜索关键词: | 使用 前驱 原子 进行 质量 流体 氧化物 化学 沉积 | ||
【主权项】:
1.一种沉积氧化硅层于一基材上的方法,该方法至少包含:提供一基材至一沉积室;在该沉积室外产生一氧原子前驱物,并且引导该氧原子前驱物至该沉积室中;引导一硅前驱物至该沉积室,其中该硅前驱物和该氧原子前驱物在该沉积室内方会混合;使该硅前驱物与该氧原子前驱物反应而形成该氧化硅层于该基材上;以及退火所沉积的该氧化硅层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的