[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200780000580.2 | 申请日： | 2007-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101326644A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 古田守;平尾孝;古田宽;松田时宜;平松孝浩;石井裕满;保刈一志;吉田基彦 | 申请（专利权）人： | 日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管包括基片(1，11)和一对形成于基片上且在其间限定出间隙的源/漏电极(2，14)(即源电极和漏电极)。一对低电阻导电薄膜(10，20)设置为使得每个低电阻导电薄膜覆盖源/漏电极之一的至少一部分。低电阻导电薄膜在其间限定出间隙。氧化物半导体薄膜层(3，15)连续地形成于该对低电阻导电薄膜的上表面上并且沿着限定于低电阻导电薄膜之间的间隙延伸以用作沟道。氧化物半导体薄膜层的侧面和低电阻导电薄膜的相应侧面在沟道的沟道宽度方向上彼此相一致。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：基片(1，11)；一对形成于基片上的源/漏电极(2，14)，在该对源/漏电极之间限定出间隙；一对低电阻导电薄膜(10，20)，每个低电阻导电薄膜(10，20)覆盖源/漏电极之一的至少一部分，该对低电阻导电薄膜之间限定出间隙；和氧化物半导体薄膜层(3，15)，其连续地形成于该对低电阻导电薄膜的上表面上，并且沿着限定于低电阻导电薄膜之间的间隙延伸以用作沟道；其中氧化物半导体薄膜层的侧面和低电阻导电薄膜的相应侧面在沟道的沟道宽度方向上彼此相一致。
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