[发明专利]带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 200780000848.2 | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101341558A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 谷晋辅;川本光俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;C04B35/46;H01C7/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器，对于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷而言，Sr位点与Ti位点的配合摩尔比m满足1.000＜m≤1.020，在结晶粒子中固溶有La或Sm等施主元素，并且，在晶界层中存在相对于所述Ti元素100摩尔在0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围的Mn、Co、Ni、Cr等受主元素，且结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下(优选为0.5～0.8μm)。由此，可实现具有良好电气特性、比电阻与电气耐压良好、可靠性也出色且能够薄层化和小型化的带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 功能 层叠 半导体 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器，具有：层叠烧结体，其通过由SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷形成的多个半导体陶瓷层和多个内部电极层交替层叠并焙烧而成；和在该层叠烧结体的两端部与所述内部电极层电连接的外部电极，对于所述半导体陶瓷而言，Sr位点与Ti位点的配合摩尔比m满足1.000＜m≤1.020，施主元素固溶于结晶粒子中，并且，在晶界层中存在相对于所述Ti元素100摩尔在0.5摩尔以下但不包括0摩尔的范围的受主元素，且结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下。
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