[发明专利]缺陷检查方法和缺陷检查装置有效
| 申请号： | 200780000853.3 | 申请日： | 2007-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101341589A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 齐藤美佐子;林辉幸;藤原馨 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/956;G01N23/225;G01R31/302;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种对形成于基板上的形状的缺陷进行检查的缺陷检查方法，对于在基板上的被分割的多个区域中分别形成的规定图案，以光学式方法依次进行一次检查，从该多个区域中选择进行二次检查的该区域。对所选择的区域，使用电子射线进行二次检查，检测出缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检查 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种缺陷检查方法，检查形成于基板上的形状的缺陷，其特征在于，具有：对在所述基板上的被分割的多个区域中分别形成的规定图案，以光学式方法依次进行一次检查，从该多个区域中选择进行二次检查的该区域的第一工序；和对在第一工序中选择的所述区域，进行使用电子射线的所述二次检查以检测出缺陷的第二工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780000853.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：聚合物粘结砂浆
- 下一篇：一种P2P网络中基于行为相似度的共谋团体识别方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
