[发明专利]层叠线圈元器件及其制造方法有效
申请号: | 200780001111.2 | 申请日: | 2007-01-11 |
公开(公告)号: | CN101356598A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 伊藤阳一郎;内藤修 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F41/04;H01F17/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明在开放磁路型的层叠线圈元器件中,提高直流叠加特性。是将线圈用导体图案(5)与陶瓷片材层叠而形成的内置线圈(L)的层叠线圈元器件(1)。在上述陶瓷片材中,包括:第1陶瓷片材、以及具有比该第1陶瓷片材低的磁导率的第3陶瓷片材(4)。在上述线圈(L)的包括线圈轴的剖面中,上述第3陶瓷片材(4)具有跨过在层叠方向上相邻的2个以上的上述线圈用导体图案(5)的形状。 | ||
搜索关键词: | 层叠 线圈 元器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种层叠线圈元器件,其特征在于,在将导电体与绝缘层层叠而形成的内置线圈的层叠线圈元器件中,在所述绝缘层中包括:第1绝缘层、以及具有比该第1绝缘层低的磁导率的第2绝缘层,在所述线圈的包括线圈轴的剖面中,所述第2绝缘层具有跨过层叠方向上相邻的2个以上的所述导电体的形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780001111.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。