[发明专利]包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200780001230.8 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101356652A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 平尾孝;平松孝浩;古田守;古田宽;松田时宜 | 申请（专利权）人： | 日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括由氧化锌构成的所述氧化物半导体薄膜层(3)。至少一部分所述氧化物半导体薄膜层的(002)晶格面沿垂直于所述半导体器件的衬底(1)的方向具有择优取向，并且该(002)晶格面具有至少为2.619的晶格间距d002。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 氧化锌 构成 氧化物 半导体 薄膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：衬底(1)；以及包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层(3)的半导体元件，所氧化物半导体薄膜层(3)形成在所述衬底上，并且至少一部分所述氧化物半导体薄膜层(3)包括如下的(002)晶格面，即沿垂直于所述衬底的方向具有择优取向并且其晶格间距d002至少为![]()
的(002)晶格面。
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